metal-oxide-semiconductor structure

См. также в других словарях:

• metal-oxide-semiconductor structure — metalo oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal oxide semiconductor structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur, f rus. структура металл оксид полупроводник, f pranc. structure métal oxyde semi… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• double-diffused metal-oxide-semiconductor structure — dvikartinės difuzijos MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double diffused metal oxide semiconductor structure; double diffused MOS vok. Doppeldifusions MOS Struktur, f rus. двухдиффузионная структура метал окисел… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• metal-oxide-semiconductor FET — metalo oksido puslaidininkio lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal oxide semiconductor FET; metal oxide semiconductor field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit Metall Oxid Halbleiter Aufbau,… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• metal-oxide-semiconductor field-effect transistor — metalo oksido puslaidininkio lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal oxide semiconductor FET; metal oxide semiconductor field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit Metall Oxid Halbleiter Aufbau,… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• metal-alumina-oxide-semiconductor structure — metalo aliuminio ir silicio oksidų puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal alumina oxide semiconductor structure vok. Metall Al₂O₃ SiO₂ Struktur, f; Metall Aluminiumoxid und Siliziumoxid Struktur, f rus …   Radioelektronikos terminų žodynas

• metal-nitride-oxide-semiconductor structure — metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal nitride oxide semiconductor structure vok. Metall Nitrid Oxid Halbleiter Struktur, f rus. структура металл нитрид оксид полупроводник, f… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• metal-oxide-semiconductor/silicon-on-sapphire structure — silicio MOP darinys ant safyro statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal oxide semiconductor/silicon on sapphire structure; MOS on sapphire structure vok. MOS/Silizium auf Saphir Struktur, f rus. МОП структура типа кремний на… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• metal-oxide-semiconductor capacitor — metalo oksido puslaidininkio kondensatorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal oxide semiconductor capacitor vok. Metall Oxid Halbleiter Kondensator, m rus. конденсатор на структуре металл оксид полупроводник, m pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• complementary metal-nitride-oxide-semiconductor structure — jungtinis metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. complementary metal nitride oxide semiconductor; complementary metal nitride oxide semiconductor structure; complementary MNOS structure… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• double-diffused metal-nitride-oxide-semiconductor structure — dvikartinės difuzijos metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double diffused metal nitride oxide semiconductor structure; double diffused MNOS structure vok. doppeldiffundierte Metall… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• complementary metal-oxide-semiconductor — jungtinis MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. CMOS structure; complementary metal oxide semiconductor; complementary MOS structure vok. CMOS Struktur, f; komplementäre MOS Struktur, f; komplementär symmetrische MOS… …   Radioelektronikos terminų žodynas